Ответ от Voldemar Krok[гуру]
КТ326А, КТ326Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p.
Предназначены для усиления высокочастотных и сверхвысокочастотных сигналов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК = 10 мА, IБ = 1 мА не более . .0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК = 10 мА, IБ = мА не более . .1,2 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ = 2 В, IЭ = 10 мА:
при Т = 298 К:
КТ326А . .20 - 70
КТ326Б . .45 - 160
при Т = 213 К:
КТ326А . .6 - 70
КТ326Б . .13 - 160
при Т = 398
КТ326А . .10 - 140
КТ326Б . .22 - 320
Модуль коэффициента передачи тока при UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА, f = 100 МГц не менее . .4
Обратный ток коллектора при UКБ = 10 В не более:
при Т = 298 К . .0,5 мкА
при Т = 398 К . .10 мкА
Обратный ток эмиттера не более при UЭБ = 4 В, Т = 298 К не более . .0,1 мкА 
ссылка