ионная имплантация

Ответ от Владимир Федюшкин[гуру]
Имплантация ионного излучателя, убивающего всё дивое по одной лишь мысле человека

Ответ от Лалэся[активный]

Ответ от Leonid[гуру]
Это процесс легирования приповерхностной области полупроводника (обычно кремния) ионами легирующей примеси, разогнанными до больших энергий. Обычно от 30 до 150 кВ, в зависимости от самой примеси (бор, фосфор, мышьяк) и от конкретной задачи. Проводится через маску из фоторезиста или с использованием уже сформированных на поверхности пластины слоём - например, поликристаллического кремния или толстого окисла, - в этом случае имплантация оказывается самосовмещённой (уже сформированные элементы топологии кристалла служат маской для имплантации) .В отличие от термической диффузии, позволяет очень точно задавать поверхностную дозу легирующей примеси, точно задавать глубину легирования, а так же проводить легирование с очень малыми дозами - порядка 10 в 11 атомов на кв. см. Это очень мало.Сама установка ионной имплантации - это практически ускоритель. Там есть ионная камера, где получаются ионы легирующей примеси, потом разгонный промежуток и участок отклонения и фокусировки. Участок отклонения (там магнитное поле поперёк) нужен для того, чтоб направить на мишень - пластины кремния - только ионы нужной массы и нужной энергии. Все прочие отклонятся магнитным полем на "неправильный" угол и будут перехвачены стенками самой установки. Кроме того, поле делается слегка переменным, так что пучок ионов сканирует по поверхности пластины (а не просто светит в одну точку).

Ответ от 3 ответа[гуру]

Ответ от 3 ответа[гуру]