кристаллографическая ориентация это

Ответ от Поехавший[гуру]
Есть такой способ введения примесей, как ионная имплантация. Так вот, суть в том, что ионизированную примесь разгоняют напряжением и выстреливают ею в подложку. Тормозится примесь в кристаллах сталкиваясь с атомами, при этом если кристаллическая решётка выравнена относительно луча, то на пути встречается меньше атомов подложки-атомы примесей пролетают сквозь окна решётки, примесь вгоняется глубже, это позволяет создавать 2 перехода за 1 операцию, плюс требуется передавать атомам примеси меньше энергии, а значит при столкновении с атомами кристалла они с меньшей вероятностью вызовут деформацию решётки. Опять же скорость травления материала зависит от положения решётки. Ну и другие мелочи, вроде некоторой разницы диэлектрической проницаемости при разной ориентации решётки.
Кремний высокой чистоты, как и любые кристаллы используется в связи с тем, что атомы кристалла расположени стройными рядами и очень ровными слоями по определённым направлениям (свойство анизотропности).
Если срезать кристалл косо, то образуются ступеньки, как бы качественно ни шлифовать плоскость, и эти ступеньки никогда не будут равномерно распределены, то есть на поверхности будут рваные дефекты. в виде отдельных атомов или их групп.
Разместить атомы, которые инжектируются, будет значительно сложнее и качество схемы будет низким.
А если срезать ровно по плоскости, то "торчащих" атомов будет значительно меньше встечаться.