n канальный полевой транзистор

Ответ от Dr. Dick[гуру]
Rds(On) - это сопротивление между стоком и истоком в полностью открытом (насыщенном) состоянии. Зная это сопротивление и силу тока, можно прикинуть мощность, которая будет рассеиваться на транзисторе. Чем выше сопротивление - тем больше тепла будет на нем выделяться. Чрезмерное тепловыделение может привести к смерти транзистора.
Еще одним немаловажным параметром является паразитная ёмкость затвора (Cg, gate capacitience). Чем она выше - тем медленнее будут происходить переходные процессы в транзисторе. То есть, будут удлиняться фронты и срезы импульсов, что приведет к повышенному тепловыделению и может также убить транзистор. Для ускорения "прокачки" паразитных емкостей затвора, в цепь затвора ставятся специальные буферные схемы (усилители на двух маломощных транзисторах) .
Кроме того, наличие паразитной ёмкости вызывает "дребезг" - очень неприятные затухающие колебания по фронтам импульса. Кроме того что они жутко засоряют радиоэфир - так и еще с 99% вероятностью приводят к выходу из строя транзистора.
Для борьбы с ними в цепь затвора включают резистор сопротивлением несколько десятков Ом.
Вместо 30В 50А можно поставить 60В 60А, однако чем больше рабочее напряжение - тем, как правило, больше сопротивление и паразитная ёмкость.