полупроводник n типа это

Ответ от Моби Дик[гуру]
Сравните микроскопические отличия образования электронов проводимости в металлах и в полупроводниках.
В энергетической структуре металла имеются свободные энергетически вырожденные квантовые состояния (1) - частично заполненные электронные оболочки, и при перекрывании орбитальных волновых функций атомов металлов электроны могут переходить в эти состояния; естественно, без сообщения дополнительной энергии (2). Зона проводимости и валентная зоны, в результате, перекрываются (3). Уровень Ферми у металлов, следовательно, соответствует зоне проводимости (4). Электроны в металлах не свободные, а квазисвободные. То есть, формально, "дырок" в металлах не существует.
У полупроводника же, любого, есть либо полностью заполненные оболочки, либо же полностью пустые (1"). Это значит, что между валентной зоной и зоной проводимости существует запрещенная зона (2"). Уровень Ферми лежит на запрещенной зоне (4"). У н-полупроводника уровень Ферми лежит выше средины запрещенной зоны, у п - ниже средины (это связано с концентрацией свободных электронов и межэлектронным взаимодействием). Но существование запрещенной зоны в любом случае означает то, что для того, чтобы электрон перешел в зону проводимости, он должен получить энергию, соответствующую ширине запрещенной зоны (3").
В чем разница обычного п-н-диода и диода Шоттки (контакт металл-полупроводник) ? На макроскопическом уровне - ни в чем. На микроскопическом - в области перехода диода Шоттки отсутствуют "дырки", неосновные носители заряда, потому разность потенциалов определяется исключительно разностью работ выхода. Это обусловливает большое быстродействие этого диода. В области же п-н-перехода же присутствуют также и неосновные носители заряда, инерционность которых велика.