зависимость сопротивления полупроводников от внешних условий

Ответ от Sandra[гуру]
При нагревании электрическое сопротивление полупроводников уменьшается, это объясняется тем, что с повышением температуры число освобождающихся электронов увеличивается. Полупроводники при низкой температуре не имеют свободных электронов, поэтому при Т=0К являются диэлектриками. При нагревании полупроводника кинетическая энергия валентных электронов повышается и наступает разрыв отдельных связей, и число освобождающихся электронов увеличивается, а сопротивление уменьшается. При изменении температуры на 1К сопротивление полупроводников изменяется в 8-10 раз больше, чем у металлов.
Зависимость электрического сопротивления полупроводниковых материалов от температуры используется в специальных полупроводниковых приборах — терморезисторах. Терморезисторы изготавливают из кристаллических полупроводников. Эти датчики характеризуются малыми размерами, малой теплоемкостью (что повышает точность измерений) , высокой температурной чувствительностью и нелинейной зависимость сопротивления от температуры R = f(t).
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p-n - перехода.
Для создания p-n - перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью или в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью.
Такая область создается введением примеси в процессе выращивания кристалла или введением атомов примеси в готовый кристалл. Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок .
Диффузия электронов из n-полупроводника в р-полупроводник приводит к появлению в электронном проводнике нескомпенсированных положительных ионов донорной примеси, в дырочном полупроводнике рекомбинация электронов с дырками приводит к появлению нескомпенсированных зарядов отрицательных ионов акцепторной примеси, т. е. между двумя слоями объемного заряда возникает электрическое поле.