электронная и дырочная проводимость

Ответ от Александр R9AAA Прокудин[гуру]
да ничего тут сложного нет.. .
Базой для примесного полупроводника являются полупроводниковые материалы типа кремния, германия. Т. е. , это кристаллические вещества.
Примесь в кристалле, влияющую на степень электропроводности, можно создать двумя способами: заместить один из атомов в узле решетки атомом другого вещества (примесь замещения) , воткнуть в кристаллическую решетку дополнительный атом (примесь внедрения) или просто этот атом убрать.
Со третьим случаем все просто. Вокруг пустого места остаются атомы полупроводника, имеющие валентные электроны, которые раньше были связаны с убранным атомом ковалентной связью. Когда атом убрали то электроны стали слабосвязанными и легко могут стать свободными (энергия активации меньше стала) . Образуется электронная проводимость (n-тип) .
Если в решетку попадает "чужой" атом то возможно два варианта:
1. В Ge или Si добавлен атом элемента 3-й группы.
При этом электроны соседних четырех атомов Ge (германий) захватываются атомом примеси. В результате, атом примеси имеет 7 электронов на валентном уровне и у него остается одно свободное место (дырка) . Т. е. пролетающий мимо свободный электрон будет захвачен атомом акцепторной примеси. Таким образом, концентрация дырок будет больше чем электронов и будет дырочная проводимость.
2. В Ge или Si добавлен атом элемента 5-й группы.
При этом 4 атома примеси вступают в ковалентную связь с четырьмя атомами Ge и у примеси остается один лишний, слабосвязанный электрон. В результате, концентрация электронов становится больше чем дырок и образуется электронная проводимость.
Источник: вчера студентов спрашивал про это..