электронно дырочный переход

Ответ от Vorona N[гуру]
Электронно-дырочный переход (p—n-переход) — область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p.Т. к. в p-области перехода концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из p-области стремятся диффундировать в n-область, а электроны — в обратном направлении. После ухода дырок из p-области в ней остаются отрицательно заряженные ионы акцепторных атомов. После ухода электронов из n-области — положительно заряженные донорных. Т. к. они неподвижны, образуется двойной электрический слой. В результате носителям тока приходится преодолевать потенциальный барьер.Внешнее поле изменяет высоту барьера. Если напряжение прямое, т. е. положительный потенциал приложен к p-области, то потенциальный барьер понижается, и экспоненциально возрастает число основных носителей способных преодолеть барьер. Как только эти носители миновали p—n-переход, они становятся неосновными. Поэтому концентрация неосновных носителей по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей) . Одновременно в p- и n-областях через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих компенсацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через переход, который с ростом напряжения экспоненциально возрастает.