N p
Автор Медведев Александр задал вопрос в разделе Прочее компьютерное
Подскажите что такое p-n-p переход?? ? гы))) и получил лучший ответ
Ответ от MyVampire[мастер]
p — n-перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный) , или электронно-дырочный переход — разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p.Электронно-дырочный переход может быть создан различными путями: 1. в объёме одного и того же полупроводникового материала, легированного в одной части донорной примесью (n-область) , а в другой — акцепторной (p-область) ; 2. на границе двух различных полупроводников с разными типами проводимости.Если p — n-переход получают вплавлением примесей в монокристаллический полупроводник, то переход от n- к р-области происходит скачком (резкий переход) . Если используется диффузия примесей, то образуется плавный переход.При контакте двух областей n- и p- типа из-за градиента концентрации носителей заряда возникает диффузия последних в области с противоположным типом электропроводности. В p-области вблизи контакта после диффузии из её дырок остаются нескомпенсированные ионизированные акцепторы (отрицательные неподвижные заряды) , а в n-области — нескомпенсированные ионизированные доноры (положительные неподвижные заряды) . Образуется область пространственного заряда (ОПЗ) , состоящая из двух разноимённо заряженных слоёв. Между нескомпенсированными разноимёнными зарядами ионизированных примесей возникает электрическое поле, направленное от n-области к p-области и называемое диффузионным электрическим полем. Данное поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей через контакт — устанавливается равновесное состояние (при этом есть небольшой ток основных носителей из-за диффузии, и ток неосновных носителей под действием контактного поля, эти токи компенсируют друг друга) . Между n- и p-областями при этом существует разность потенциалов, называемая контактной разностью потенциалов. Потенциал n-области положителен по отношению к потенциалу p-области. Обычно контактная разность потенциалов в данном случае составляет десятые доли вольта.Внешнее электрическое поле изменяет высоту барьера и нарушает равновесие потоков носителей тока через барьер. Если положительный потенциал приложен к p-области, то потенциальный барьер понижается (прямое смещение) , а ОПЗ сужается. В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть барьер. Как только эти носители миновали p — n-переход, они становятся неосновными. Поэтому концентрация неосновных носителей по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей) . Одновременно в p- и n-областях через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих компенсацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через переход, который с ростом напряжения экспоненциально возрастает.Приложение отрицательного потенциала к p-области (обратное смещение) приводит к повышению потенциального барьера. Диффузия основных носителей через переход становится пренебрежимо малой. В то же время потоки неосновных носителей не изменяются (для них барьера не существует) . Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p — n-переход и проходят через него в соседнюю область (экстракция неосновных носителей) . Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через p — n-переход течёт ток Is (ток насыщения) , который обычно мал и почти не зависит от напряжения. Таким образом, вольт-амперная характеристика p — n-перехода обладает резко выраженной нелинейностью. При изменении знака U значение тока через переход может изменяться в 105 — 106 раз. Благодаря этому p — n-переход может использоваться для выпрямления переменных токов (диод) .p — n-переход можно рассматривать как плоский конденсатор!
фигня какая-то в транзисторе
Plug'n'Play - подключи и играй!
Это транзисторы.. Бывает n-p-n переход и p-n-p переход.. Больше ничего не помню))
Гы-гы! Это полупроводниковый переход, представляющий собой три кусочка полупрводника (кремния, германия, и т. п. )с разными свойствами электропроводности. Именно один p-n -p переход является элементарным транзистором!
Вообще то это полупроводниковый переход в транзисторе. Есть П-Р-П переход, а есть Р-П-Р.
это действия полупроводника, а именно транзистора.состоит транзистор из базы, коллектора, и эммитера.транзистор управляет направлением тока в интегральных схемах.разные положения - р-п-р и п-р-п
P-N-переходПринцип действия P-N-перехода старая теория электричества объясняет с позиции подвижности ионов, которые она окрестила дырками. На самом деле, ионы – как их не назови – способны двигаться только в газах и жидкостях. Как это происходит в электрон-ионном токе, где электроны движутся по внешней цепи, а катионы и анионы – других не бывает – замыкают внутреннюю цеп. Для создания P-N-перехода формируют две области проводимости: N - или P -типа. Для создания P- области в исходный полупроводник (4-валентный германии или кремнии) добавляют атомы, например, 3-валентного алюминия. В кристалле 4-валентного исходного полупроводника часть атомов замещается атомами 3-валентного алюминия, но для образования четырех ковалентных связей у примесного атома не хватает одного электрона. А для создания N-области в тот же полупроводник добавляют атомы, например, 5-валентнога фосфора, которые замещают атомы исходного полупроводника в узлах кристаллической решетки. Четыре электрона атома примеси вступают ковалентную связь с четырьмя валентными электронами атомов основного полупроводника. Пятый валентный электрон становится свободным. И этот свободный электрон занимает место недостающего электрона в P- области. И в случае, когда внешнее электрическое поле направленно так, что свободные электроны возвращаются на свое законное место, то P-N-переход ведёт себя как обычный проводник.Но в случае, когда внешнее электрическое поле направленно так, что свободные электроны покидают свое атомы, превращающиеся в ионы, и поселяются в P- области, то P-N-переход рождает электрическое сопротивление в виде неподвижных ионов.