какова сила тока насыщения при несамостоятельном

Ответ от Ѕулиганов Иосиф[гуру]
1) скорость движения электронов v = L / t Кинетическая энергия электрона m* v^2 / 2 = m * L^2 / (2 * t^2) Эта энергия приобретается частицами за счет потенциальной энергии электрического поля m * L^2 / (2 * t^2) = e * U Получим для ускоряющего напряжения U: U = m * L^2 / (2 * е * t^2) m - масса электрона L - расстояние до экрана e - заряд электрона t - время движения. 2) ток равен току насыщения, когда все ионы достигают соответствующих электродов В объеме V между электродами за время t=1c образуется заряд Q = 2*N*e*V = 2*N*e*S*d N - число пар ионов е - заряд электрона (иона) S - площадь пластины d - расстояние между пластинами Поэтому ток насыщения равен: I = Q / t = 2*N*e*S*d / t 3) сопротивление (а значит и режим работы) полупроводниковых приборов существенно зависит от температуры, поэтому такие приборы в этих условиях будут работать нестабильно.