напряжение отсечки

Ответ от Leonid[гуру]
Нет ничего общего не только между смыслом параметров, но даже и между самими объектами применения!
Напряжение насыщения определяется только для биполярных транзисторов. Это напряжение между коллектором и эмиттером, когда оба перехода смещены в прямом направлепнии (в нормальнром режиме - активном - куоллекторный переход смещё в обратном направлении) .
А напряжение отсечки - это для полевого транзистора. Причём существуют два напряжения с таким названием (при этом только в одном случает употребление термина правильное). Это то напряжение на стоке, при котором ток стока перестаёт зависеть от напряжениея затвор-исток (характеристика ID - VGS переходит из крутой области в пологую). Ну и частенько напряжением отсечки называют напржение затвор-сток, при котором ток стока падает до некоторого порогового занчения. На самом деле это напряжение правильнее называть именно пороговым напряжением (а не отсечкой) .
Напряжение насыщения для МОП-транзистора не имеет смыла вводить, поскольку на участке насыщения он ведёт себя линейно, как резистор. Так что при нулевом токе и напряжение на нём равно нулю.
Leonid
Высший разум
(381255)
Нет.
Для полевых тразисторов (любых) есть РЕЖИМ насыщения, но у них нет того насыщения, что существует в биполярных транзисторах - когда ток через транзистор завист только от внешней цепи, но не от самого транзистора (когда он по существу стягивается в точку).
Насыщение ПТ - это когда ток стока перестаёт зависеть от напряжения на стоке (пологий участок характеристики). Как видите, совершенно другой физический смысл явления. И напряжение насыщения в данном случае не параметр транзистора, а лишь характеристика режима: для МОП-транзистора оно равно Vgs-Vt и тем самым зависит от ВНЕШНЕГО фактора - напряжения затвор-исток. Для JFET оно тоже зависит от напряжения затвор-исток, хотя эта зависимость более замысловата.