режим насыщения транзистора
Автор Андрей пономарев задал вопрос в разделе Техника
Режим насыщения транзистора что это? и получил лучший ответ
Ответ от
В насыщении ток через транзистор (колектор-эмиттер) идет и мало
зависит от тока через переход база-эмиттер. При этом напряжение
коллектор-эмиттер меньше напряжения база-эмиттер.
Режим насыщения образуется при условии что ток база-эмиттер,
умноженный на коэф. передачи тока h21э, больше тока
коллектор-эмиттер.
Режим насыщения удобен когда транзистор используется для
включения тока через какую-нибудь нагрузку (лампочку, обмотку
реле, нагреватель, моторчик) . Удобен потому что в этом случае
на транзисторе рассеиваемая мощность минимальна
(грубо говоря, он меньше всего греется) . Правда при работе
в насыщении сильно снижается быстродействие транзистора.
Обычно частота переключений насыщение-отсечка меньше
~100 Кгц. Если надо быстрее то берут полевые транзисторы
MOSFET, IGBT.
Режим насыщения устанавливается, если Iб > Ек/(Rк h21э) . По сути дела, в этом режиме транзистор представляет собой открытый ключ. Так что насыщение/отсечка это использование транзистора в качестве ключа, в отличие от усилительного (активного) режима.Подробности в моей книге "Искусство схемотехники. Просто о сложном".