pn переход

Ответ от Андрей Байбаков[гуру]
Область на границе двух полупроводников с различными типами элек-тропроводности называется электронно–дырочным или p-n – переходом. Предположим, что мы объединяем два куска полупроводника с электропроводностями n и p. Таким образом, при отсутствии внешне приложенного электрического поля в p-n –переходе за счет концентрационной диффузии носителей заряда электронов из n – области в p область и дырок из p - области в n образуется система, называемая областями пространственного заряда (ОПЗ) . Она образуется за счёт ионизированных атомов примеси и поступающих не основных носителей заряда.
Область положительного пространственного заряда образуется в n полупроводнике, а область отрицательного пространственного заряда в p-полупроводнике. Ток, обусловленный концентрационной диффузией, называется диффузионным Iдиф, однако под действием ОПЗ в переходе возникает и другой ток называемый дрейфовым Iдр. Он противонаправлен диффузионному и равен ему по величине (при данной конкретной температуре) .
Iдр + Iдиф = 0
Это обуславливает равновесное состояние, в котором находится p - n переход. При увеличении температуры возрастает число диффундирующих носителей заряда и, следовательно, растет ОПЗ, что приводит к росту числа носителей заряда переносимых под действием поля. Соответственно устанавливается новое равновесное состояние, отвечающее новому значению температуры.