Автор Alive4 задал вопрос в разделе Наука, Техника, Языки
Что такое полупроводник? и получил лучший ответ
Ответ от Andrey B.[гуру]
Полупроводник характерен тем, что в отличие от металлической "электронной" проводимости, в полупроводнике имеет место "дырочная" рекомбинационная проводимость.... ну представь себе игру в 15, и дырка играет роль положительного иона... и она может двигаться.. .
Полупроводник сам по себе никакой ценности не представляет. представляют ценность приборы у которых совмещена дырочная и электронная проводимость.
Например простейший полупроводниковый приюор - диод - это когда в кремневую пластинку упирается металлическая иголка. Или под воздействием импульса тока эта иголка приваривается к кремневой пластинке (сплавные приборы)... или на пластинке создаются маски для вытравливания слоя кремния с последующим наращиванием металла или диэлектрика (эпитаксиальная технология)... так вот. при совмещении в кремневой пластине зон с P (дырочной) и N(электронной) проводимостью получается прибор который имеет резко нелинейную характеристику. У трехэлектродных приборов этой характеристикой можно даже управлять. Это например тиристоры, транзисторы, полевые транзисторы и др.
Источник: осторожно, в голове злые собаки
Полупроводник в моем понимании - это пьяный проводник в поезде. Т. е. вроде и проводник, а вроде как и нет его...
Полупроводник это вещество которое проводит электрический ток, но не полностью. Вода и тд.
Полупроводник- это материал, электропроводные свойства которого определяются наличием электронов и "дырок".
Полупроводник — материал, электрические свойства которого в сильной степени зависят от концентрации в нём химических примесей и внешних условий (температура, излучение и пр.) .
Полупроводники – вещества, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет 0-6 электрон-вольта, например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а InAs к узкозонным.
В зависимости от того, отдаёт ли примесь электрон или захватывает электрон, примесь называют донорной или акцепторной. Свойство примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается.
Физические свойства и применения
Прежде всего следует сказать, что физические свойства полупроводников наиболее изучены по сравнению с металлами и диэлектриками. В немалой степени этому способствует огромное количество эффектов, которые не могут быть наблюдаемы ни в тех ни в других веществах, прежде всего связанные с устройством зонной структуры полупроводников, и наличием достаточно узкой запрещённой зоны. Конечно же основным стимулом для изучения полупроводников является технология производства интегральных микросхем - это в первую очередь относится к кремнию, но затрагивает другие соединения (Ge, GaAs, InSb) как возможные заменители.
Кремний — непрямозонный полупроводник, поэтому очень трудно заставить его работать в оптических устройствах, и здесь вне конкуренции соединения типа AIIIBV, среди которых можно выделить GaAs, GaN, которые используются в светодиодах.
Собственный полупроводник при абсолютном нуле температуры не имеет свободных носителей в зоне проводимости в отличие от проводников и ведёт себя как диэлектрик. При легировании ситуация может поменяться. См. вырожденные полупроводники.
В связи с тем, что технологи могут получать очень чистые вещества встаёт вопрос об новом эталоне для числа Авогадро.
[править]
Легирование
Объёмные свойства полупроводника могут сильно зависеть от наличия дефектов в кристаллической структуре. И поэтому стремятся выращивать очень чистые вещества, в основном для электронной промышленности. Легирующие примеси вводят для управления типом проводимости проводника. Например широко распространённый кремний можно легировать элементом V подгруппы периодической системы элементов — фосфором, который является донором, и создать n-Si. Для получения кремния с дырочным типом проводимости (p-Si) используют бор (акцептор) .
[править]
Методы получения
Свойства полупроводников зависят от способа получения, так как различные примеси в процессе роста могут изменить их. Наиболее дешёвый способ промышленного получения монокристаллического технологического кремния — метод Чохральского. Для очистки технологического кремния используют также метод зонной плавки.
Для получения монокристаллов полупроводников используют различные методы физического и химического осаждения. Наиболее прецизионный и дорогой инструмент в руках технологов для роста монокристаллических плёнок — установки молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющей выращивать кристалл с точностью до монослоя.
[править]
Полупроводники
алмаз, C
кремний, Si
германий
серое олово, a-Sn
нитрид бора, BN
нитрид алюминия, AlN
фосфид алюминия, AlP
арсенид алюминия, AlAs
нитрид галлия, GaN
фосфид галлия, GaP
арсенид галлия, GaAs
стибат галлия, GaSb
фосфид индия, InP
арсенид индия, InAs
антимонид индия, InSb
селенид цинка, ZnS
теллурид кадмия, CdTe
теллурид ртути, HgTe
оксид цинка, ZnO
сульфид свинца, PbS
теллурид свинца, PbTe
теллурид олова, SnTe
органические полупроводники